合肥长鑫即将量产 DRAM 内存芯片?国内第一批摆脱空白


本月初,紫光集团的长江仓储正式宣布其64层堆栈3D NAND闪存已开始量产。虽然国内3D NAND已经取得突破,但在DRAM内存芯片领域,中国仍然是一片空白。由于美国的“禁令”,原本预计会寄予厚望的福建金华长期处于暂停状态。

在紫光之前,我们可能看到的第一个国内记忆应该是合肥长新公司。他们的工作时间早于紫光。该公司于2016年在安徽省合肥市成立。第一期投资额高达72亿元。美元(约494亿元人民币)将建造一座每月容量为125,000片晶圆的存储器厂。目前,工厂的建设已经结束,处于设备安装和调试阶段。受多方影响,合肥长兴唯一剩余存储必须小心,放慢脚步,加强合规,稳步推进。

最新消息显示,合肥长新的进展顺利,并且机器已经提前安装。预计第四季度将批量生产第一批国产内存。

合肥长新的技术合作伙伴是益兆创新。自去年以来,两家公司共同开发了19nm工艺的DRAM颗粒,并已经制造了8Gb DDR4样品,并将在今年第三季度取出8Gb LPDDR4样品。到年底,它将批量生产,月产能为20,000片晶圆,并将继续增加到每月125,000片晶圆的目标产能。事实上,长信的DRAM内存技术仍然与奇梦达有着深厚的渊源。

此前在GSA +内存存储峰会上,长信存储董事长兼首席执行官朱一鸣就《中国存储技术发展与解决方案》发表了主题演讲,指的是长信的DRAM存储技术来源,主要是已经破产的奇蒙达。关于DRAM和2.8TB数据的1000多万份技术文档,在此基础上改进,研发专有内存芯片,耗资超过25亿美元。

如果19nm工艺和8Gb核心存储器的批量生产在年底成功完成,虽然有一代或两代的第三代10nm工艺的美光,三星和其他公司,这个级别技术仍然有可能,因为市场上有很多内存。这是规范。可以准备一个8GB和16GB的内存。可以说,国内记忆的起点非常高,但随后的产量和产能增加是关键,在这个市场赚钱。生活并不容易。

(编辑:DF120)